典型项目案例——高可靠性

项目参数  

Application：MCU

Process : 110nm  

Gate count：1.7M  

Max freq：80Mhz  

Package: 80pin/64pin  

Chip-size：~25mm2  

Core power domain: 1  

IO power domain: 3  

HBM ESD：8KV  

Latch-up：800mA